W9864G6KH-6 DRAM 64Mb, SDR SDRAM, x16, 166MHz, 46nm

W9864G6KH เป็นหน่วยความจำเข้าถึงโดยสุ่มแบบไดนามิกแบบซิงโครนัสความเร็วสูง (SDRAM) ซึ่งจัดเป็น 1 ล้านคำ  4 ช่อง  16 บิตW9864G6KH ให้แบนด์วิธข้อมูลสูงถึง 200 ล้านคำต่อวินาทีสำหรับการใช้งานที่แตกต่างกัน W9864G6KH แบ่งออกเป็นระดับความเร็วต่อไปนี้: -5, -6, -6I และ -7ชิ้นส่วนเกรด -5 สามารถวิ่งได้ถึง 200MHz/CL3ชิ้นส่วนเกรด -6 และ -6I สามารถทำงานได้ถึง 166MHz/CL3 (เกรดอุตสาหกรรม -6I ซึ่งรับประกันว่ารองรับ -40°C ~ 85°C)ชิ้นส่วนเกรด -7 สามารถวิ่งได้ถึง 143MHz/CL3 และด้วย tRP = 18nS

การเข้าถึง SDRAM เป็นแบบต่อเนื่องตำแหน่งหน่วยความจำที่ต่อเนื่องกันในหน้าเดียวสามารถเข้าถึงได้ที่ความยาวต่อเนื่อง 1, 2, 4, 8 หรือเต็มหน้าเมื่อเลือกธนาคารและแถวโดยคำสั่ง ACTIVEที่อยู่คอลัมน์ถูกสร้างขึ้นโดยอัตโนมัติโดยตัวนับภายใน SDRAM ในการทำงานแบบต่อเนื่องการอ่านคอลัมน์แบบสุ่มสามารถทำได้ด้วยการระบุที่อยู่ในแต่ละรอบสัญญาณนาฬิกา

ลักษณะของธนาคารหลายแห่งช่วยให้การแทรกระหว่างธนาคารภายในสามารถซ่อนเวลาการชาร์จล่วงหน้าได้ การมี Mode Register ที่ตั้งโปรแกรมได้ ระบบสามารถเปลี่ยนระยะเวลาการระเบิด รอบเวลาแฝง การแทรกสลับหรือการระเบิดแบบต่อเนื่องเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพสูงสุดW9864G6KH เหมาะอย่างยิ่งสำหรับหน่วยความจำหลักในการใช้งานประสิทธิภาพสูง