SQM50034EL_GE3 มอสเฟต N-CHANNEL 60-V (DS) 175C มอสเฟต
♠รายละเอียดสินค้า
| คุณลักษณะของผลิตภัณฑ์ | ค่าแอตทริบิวต์ |
| ผู้ผลิต: | วิชญ์ |
| ประเภทสินค้า: | มอสเฟต |
| เป็นไปตามมาตรฐาน: | รายละเอียด |
| เทคโนโลยี: | Si |
| สไตล์การติดตั้ง: | เอสเอ็มดี/SMT |
| บรรจุภัณฑ์ / กล่อง: | TO-263-3 |
| ขั้วทรานซิสเตอร์: | N-ช่อง |
| จำนวนช่อง: | 1 ช่อง |
| Vds - แรงดันพังทลายของเดรน-ซอร์ส: | 60 โวลต์ |
| รหัส - กระแสเดรนต่อเนื่อง: | 100 ก |
| Rds On - ความต้านทานของ Drain-Source: | 3.2 มิลลิโอห์ม |
| Vgs - แรงดันเกต-ซอร์ส: | - 20 โวลต์, + 20 โวลต์ |
| Vgs th - แรงดันเกณฑ์เกต-ซอร์ส: | 2 โวลต์ |
| Qg - ค่าธรรมเนียมประตู: | 60 เอ็นซี |
| อุณหภูมิในการทำงานต่ำสุด: | - 55 องศาเซลเซียส |
| อุณหภูมิในการทำงานสูงสุด: | + 175 ซ |
| Pd - การกระจายพลังงาน: | 150 วัตต์ |
| โหมดช่อง: | การเพิ่มประสิทธิภาพ |
| ชื่อการค้า: | ร่องลึกFET |
| ยี่ห้อ: | Vishay / ซิลิกอนิกซ์ |
| การกำหนดค่า: | เดี่ยว |
| เวลาฤดูใบไม้ร่วง: | 7 น |
| ประเภทสินค้า: | มอสเฟต |
| เวลาที่เพิ่มขึ้น: | 7 น |
| ชุด: | SQ |
| ปริมาณแพ็คโรงงาน: | 800 |
| หมวดหมู่ย่อย: | มอสเฟต |
| เวลาหน่วงการปิดเครื่องโดยทั่วไป: | 33 น |
| เวลาหน่วงการเปิดเครื่องโดยทั่วไป: | 15 น |
| หน่วยน้ำหนัก: | 0.139332 ออนซ์ |
• มอสเฟตกำลัง TrenchFET®
• บรรจุภัณฑ์ที่มีความทนทานต่อความร้อนต่ำ
• ผ่านการทดสอบ Rg และ UIS 100 %
• ผ่านการรับรอง AEC-Q101
