DMP4015SK3Q-13 MOSFET โหมด P-Ch Enh FET
♠รายละเอียดสินค้า
| คุณลักษณะของผลิตภัณฑ์ | ค่าแอตทริบิวต์ |
| ผู้ผลิต: | รวมไดโอด |
| ประเภทสินค้า: | มอสเฟต |
| เทคโนโลยี: | Si |
| สไตล์การติดตั้ง: | เอสเอ็มดี/SMT |
| บรรจุภัณฑ์ / กล่อง: | TO-252-3 |
| ขั้วทรานซิสเตอร์: | พี-แชนแนล |
| จำนวนช่อง: | 1 ช่อง |
| Vds - แรงดันพังทลายของเดรน-ซอร์ส: | 40 โวลต์ |
| รหัส - กระแสเดรนต่อเนื่อง: | 35 ก |
| Rds On - ความต้านทานของ Drain-Source: | 11 มิลลิโอห์ม |
| Vgs - แรงดันเกต-ซอร์ส: | - 25 โวลต์, + 25 โวลต์ |
| Vgs th - แรงดันเกณฑ์เกต-ซอร์ส: | 1.5 โวลต์ |
| Qg - ค่าธรรมเนียมประตู: | 47.5 นาโนเมตร |
| อุณหภูมิในการทำงานต่ำสุด: | - 55 องศาเซลเซียส |
| อุณหภูมิในการทำงานสูงสุด: | + 150 องศาเซลเซียส |
| Pd - การกระจายพลังงาน: | 3.5 ว |
| โหมดช่อง: | การเพิ่มประสิทธิภาพ |
| คุณสมบัติ: | AEC-Q101 |
| บรรจุภัณฑ์: | รอก |
| บรรจุภัณฑ์: | ตัดเทป |
| บรรจุภัณฑ์: | MouseReel |
| ยี่ห้อ: | รวมไดโอด |
| การกำหนดค่า: | เดี่ยว |
| เวลาฤดูใบไม้ร่วง: | 137.9 นาโนเมตร |
| ส่งต่อ Transconductance - ขั้นต่ำ: | 26 ส |
| ความสูง: | 2.39 มม |
| ความยาว: | 6.7 มม |
| ประเภทสินค้า: | มอสเฟต |
| เวลาที่เพิ่มขึ้น: | 10 น |
| ชุด: | DMP4015 |
| ปริมาณแพ็คโรงงาน: | 2500 |
| หมวดหมู่ย่อย: | มอสเฟต |
| ประเภททรานซิสเตอร์: | 1 P-ช่อง |
| เวลาหน่วงการปิดเครื่องโดยทั่วไป: | 302.7 น |
| เวลาหน่วงการเปิดเครื่องโดยทั่วไป: | 13.2 น |
| ความกว้าง: | 6.2 มม |
| หน่วยน้ำหนัก: | 0.011640 ออนซ์ |
♠ DMP4015SK3Q P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
• กรณี: TO252 (DPAK)
• วัสดุตัวเรือน: พลาสติกขึ้นรูป, สารขึ้นรูป “สีเขียว”การจำแนกประเภทความไวไฟ UL 94V-0
• ความไวต่อความชื้น: ระดับ 1 ต่อ J-STD-020
• การเชื่อมต่อเทอร์มินัล: ดูไดอะแกรม
• เทอร์มินอล: เสร็จสิ้น—เคลือบผิวดีบุกอบอ่อนบน Copper LeadFrameบัดกรีได้ตาม MIL-STD-202, วิธีที่ 208
• น้ำหนัก : 0.33 กรัม (โดยประมาณ)
• ทดสอบสวิตช์อุปนัย (UIS) แบบไม่มีแคลมป์ 100% ในการผลิต
• ความต้านทานต่ำ
• ความเร็วในการสลับที่รวดเร็ว
• เสร็จสิ้นไร้สารตะกั่ว;เป็นไปตาม RoHS (หมายเหตุ 1 และ 2)
• ปราศจากฮาโลเจนและแอนติโมนีอุปกรณ์ “สีเขียว” (หมายเหตุ 3)
• DMP4015SK3Q เหมาะสำหรับงานยานยนต์ที่ต้องการการควบคุมการเปลี่ยนแปลงเฉพาะ;ชิ้นส่วนนี้ผ่านการรับรอง AEC-Q101 รองรับ PPAP และผลิตในโรงงานที่ได้รับการรับรอง IATF 16949
MOSFET นี้ได้รับการออกแบบมาเพื่อตอบสนองความต้องการที่เข้มงวดของการใช้งานในยานยนต์มีคุณสมบัติตามมาตรฐาน AEC-Q101 ซึ่งสนับสนุนโดย PPAP และเหมาะสำหรับใช้ใน:
• ตัวแปลง DC-DC
• ฟังก์ชั่นการจัดการพลังงาน
• ไฟแบ็คไลท์
