VNS3NV04DPTR-E เกตไดรเวอร์ OMNIFET II VIกำลัง 35mOhm 12A 40V
♠รายละเอียดสินค้า
| คุณลักษณะของผลิตภัณฑ์ | ค่าแอตทริบิวต์ |
| ผู้ผลิต: | เอส.ที.ไมโครอิเล็กทรอนิกส์ |
| ประเภทสินค้า: | ไดรเวอร์ประตู |
| เป็นไปตามมาตรฐาน: | รายละเอียด |
| ผลิตภัณฑ์: | ไดรเวอร์เกต MOSFET |
| พิมพ์: | ด้านต่ำ |
| สไตล์การติดตั้ง: | เอสเอ็มดี/SMT |
| บรรจุภัณฑ์ / กล่อง: | SOIC-8 |
| จำนวนไดรเวอร์: | 2 พนักงานขับรถ |
| จำนวนเอาต์พุต: | 2 เอาต์พุต |
| กระแสไฟขาออก: | 5 ก |
| แรงดันไฟ - สูงสุด: | 24 โวลต์ |
| เวลาที่เพิ่มขึ้น: | 250 น |
| เวลาฤดูใบไม้ร่วง: | 250 น |
| อุณหภูมิในการทำงานต่ำสุด: | - 40 องศาเซลเซียส |
| อุณหภูมิในการทำงานสูงสุด: | + 150 องศาเซลเซียส |
| ชุด: | VNS3NV04DP-E |
| คุณสมบัติ: | เออีซี-คิว100 |
| บรรจุภัณฑ์: | รอก |
| บรรจุภัณฑ์: | ตัดเทป |
| บรรจุภัณฑ์: | MouseReel |
| ยี่ห้อ: | เอส.ที.ไมโครอิเล็กทรอนิกส์ |
| ไวต่อความชื้น: | ใช่ |
| กระแสไฟในการทำงาน: | 100 ยูเอ |
| ประเภทสินค้า: | ไดรเวอร์ประตู |
| ปริมาณแพ็คโรงงาน: | 2500 |
| หมวดหมู่ย่อย: | PMIC - ไอซีการจัดการพลังงาน |
| เทคโนโลยี: | Si |
| หน่วยน้ำหนัก: | 0.005291 ออนซ์ |
♠ OMNIFET II ที่ป้องกัน Power MOSFET โดยอัตโนมัติ
อุปกรณ์ VNS3NV04DP-E ประกอบด้วยชิป monolithic (OMNIFET II) สองตัวที่อยู่ในแพ็คเกจ SO-8 มาตรฐานOMNIFET II ได้รับการออกแบบโดยใช้เทคโนโลยี STMicroelectronics™ VIPower™ M0-3 และมีจุดประสงค์เพื่อทดแทน Power MOSFET มาตรฐานในการใช้งาน DC สูงสุด 50 kHz
การปิดระบบระบายความร้อนในตัว การจำกัดกระแสไฟฟ้าเชิงเส้น และแคลมป์แรงดันไฟฟ้าเกินช่วยปกป้องชิปในสภาพแวดล้อมที่สมบุกสมบัน
สามารถตรวจพบการป้อนกลับของข้อผิดพลาดได้โดยการตรวจสอบแรงดันไฟฟ้าที่ขาอินพุต
■ ECOPACK®: ปราศจากสารตะกั่วและสอดคล้องกับ RoHS
■ เกรดยานยนต์: เป็นไปตามหลักเกณฑ์ของ AEC
■ ข้อจำกัดปัจจุบันเชิงเส้น
■ การปิดระบบระบายความร้อน
■ ป้องกันการลัดวงจร
■ แคลมป์ในตัว
■ กระแสไฟต่ำที่ดึงจากขาอินพุต
■ คำติชมการวินิจฉัยผ่านขาอินพุต
■ การป้องกัน ESD
■ เข้าถึงเกตของ Power MOSFET ได้โดยตรง (การขับแบบอะนาล็อก)
■ เข้ากันได้กับ Power MOSFET มาตรฐาน
