SI2305CDS-T1-GE3 MOSFET -8V Vds 8V Vgs SOT-23
♠รายละเอียดสินค้า
| คุณลักษณะของผลิตภัณฑ์ | ค่าแอตทริบิวต์ |
| ผู้ผลิต: | วิชญ์ |
| ประเภทสินค้า: | มอสเฟต |
| เทคโนโลยี: | Si |
| สไตล์การติดตั้ง: | เอสเอ็มดี/SMT |
| บรรจุภัณฑ์ / กล่อง: | สท-23-3 |
| ขั้วทรานซิสเตอร์: | พี-แชนแนล |
| จำนวนช่อง: | 1 ช่อง |
| Vds - แรงดันพังทลายของเดรน-ซอร์ส: | 8 โวลต์ |
| รหัส - กระแสเดรนต่อเนื่อง: | 5.8 ก |
| Rds On - ความต้านทานของ Drain-Source: | 35 มิลลิโอห์ม |
| Vgs - แรงดันเกต-ซอร์ส: | - 8 โวลต์, + 8 โวลต์ |
| Vgs th - แรงดันเกณฑ์เกต-ซอร์ส: | 1 โวลต์ |
| Qg - ค่าธรรมเนียมประตู: | 12 นาโนเมตร |
| อุณหภูมิในการทำงานต่ำสุด: | - 55 องศาเซลเซียส |
| อุณหภูมิในการทำงานสูงสุด: | + 150 องศาเซลเซียส |
| Pd - การกระจายพลังงาน: | 1.7 ว |
| โหมดช่อง: | การเพิ่มประสิทธิภาพ |
| ชื่อการค้า: | ร่องลึกFET |
| บรรจุภัณฑ์: | รอก |
| บรรจุภัณฑ์: | ตัดเทป |
| บรรจุภัณฑ์: | MouseReel |
| ยี่ห้อ: | Vishay เซมิคอนดักเตอร์ |
| การกำหนดค่า: | เดี่ยว |
| เวลาฤดูใบไม้ร่วง: | 10 น |
| ความสูง: | 1.45 มม |
| ความยาว: | 2.9 มม |
| ประเภทสินค้า: | มอสเฟต |
| เวลาที่เพิ่มขึ้น: | 20 น |
| ชุด: | SI2 |
| ปริมาณแพ็คโรงงาน: | 3000 |
| หมวดหมู่ย่อย: | มอสเฟต |
| ประเภททรานซิสเตอร์: | 1 P-ช่อง |
| เวลาหน่วงการปิดเครื่องโดยทั่วไป: | 40 น |
| เวลาหน่วงการเปิดเครื่องโดยทั่วไป: | 20 น |
| ความกว้าง: | 1.6 มม |
| ส่วน # นามแฝง: | SI2305CDS-T1-BE3 SI2305CDS-GE3 |
| หน่วยน้ำหนัก: | 0.000282 ออนซ์ |
• ปราศจากฮาโลเจนตามข้อกำหนด IEC 61249-2-21
• พาวเวอร์มอสเฟต TrenchFET®
• ทดสอบ Rg 100 %
• สอดคล้องกับ RoHS Directive 2002/95/EC
• สวิตช์โหลดสำหรับอุปกรณ์พกพา
• ตัวแปลง DC/DC
