NVTFS5116PLTWG MOSFET Single P-Channel 60V,14A,52mohm
♠รายละเอียดสินค้า
| คุณลักษณะของผลิตภัณฑ์ | ค่าแอตทริบิวต์ |
| ผู้ผลิต: | ออนเซ็น |
| ประเภทสินค้า: | มอสเฟต |
| เทคโนโลยี: | Si |
| สไตล์การติดตั้ง: | เอสเอ็มดี/SMT |
| บรรจุภัณฑ์ / กล่อง: | ดับเบิลยูดีเอฟเอ็น-8 |
| ขั้วทรานซิสเตอร์: | พี-แชนแนล |
| จำนวนช่อง: | 1 ช่อง |
| Vds - แรงดันพังทลายของเดรน-ซอร์ส: | 60 โวลต์ |
| รหัส - กระแสเดรนต่อเนื่อง: | 14 ก |
| Rds On - ความต้านทานของ Drain-Source: | 52 มิลลิโอห์ม |
| Vgs - แรงดันเกต-ซอร์ส: | - 20 โวลต์, + 20 โวลต์ |
| Vgs th - แรงดันเกณฑ์เกต-ซอร์ส: | 3 โวลต์ |
| Qg - ค่าธรรมเนียมประตู: | 25 นาโนเมตร |
| อุณหภูมิในการทำงานต่ำสุด: | - 55 องศาเซลเซียส |
| อุณหภูมิในการทำงานสูงสุด: | + 175 ซ |
| Pd - การกระจายพลังงาน: | 21 ว |
| โหมดช่อง: | การเพิ่มประสิทธิภาพ |
| คุณสมบัติ: | AEC-Q101 |
| บรรจุภัณฑ์: | รอก |
| บรรจุภัณฑ์: | ตัดเทป |
| บรรจุภัณฑ์: | MouseReel |
| ยี่ห้อ: | ออนเซ็น |
| การกำหนดค่า: | เดี่ยว |
| ส่งต่อ Transconductance - ขั้นต่ำ: | 11 ส |
| ประเภทสินค้า: | มอสเฟต |
| ชุด: | NVTFS5116PL |
| ปริมาณแพ็คโรงงาน: | 5,000 |
| หมวดหมู่ย่อย: | มอสเฟต |
| ประเภททรานซิสเตอร์: | 1 P-ช่อง |
| หน่วยน้ำหนัก: | 0.001043 ออนซ์ |
• รอยเท้าขนาดเล็ก (3.3 x 3.3 มม.) สำหรับการออกแบบที่กะทัดรัด
• RDS ต่ำ (เปิด) เพื่อลดการสูญเสียการนำไฟฟ้า
• ความจุต่ำเพื่อลดการสูญเสียไดรเวอร์ให้เหลือน้อยที่สุด
• NVTFS5116PLWF − ผลิตภัณฑ์ปีกนกที่เปียกน้ำได้
• ผ่านการรับรอง AEC−Q101 และ PPAP
• อุปกรณ์เหล่านี้ปราศจาก Pb− และเป็นไปตาม RoHS
