CSD18563Q5A MOSFET 60V N-Channel NexFET พาวเวอร์มอสเฟต
♠รายละเอียดสินค้า
| คุณลักษณะของผลิตภัณฑ์ | ค่าแอตทริบิวต์ |
| ผู้ผลิต: | เท็กซัส อินสตรูเมนท์ |
| ประเภทสินค้า: | มอสเฟต |
| เป็นไปตามมาตรฐาน: | รายละเอียด |
| เทคโนโลยี: | Si |
| สไตล์การติดตั้ง: | เอสเอ็มดี/SMT |
| บรรจุภัณฑ์ / กล่อง: | VSONP-8 |
| ขั้วทรานซิสเตอร์: | N-ช่อง |
| จำนวนช่อง: | 1 ช่อง |
| Vds - แรงดันพังทลายของเดรน-ซอร์ส: | 60 โวลต์ |
| รหัส - กระแสเดรนต่อเนื่อง: | 100 ก |
| Rds On - ความต้านทานของ Drain-Source: | 6.8 มิลลิโอห์ม |
| Vgs - แรงดันเกต-ซอร์ส: | - 20 โวลต์, + 20 โวลต์ |
| Vgs th - แรงดันเกณฑ์เกต-ซอร์ส: | 1.7 โวลต์ |
| Qg - ค่าธรรมเนียมประตู: | 15 นาโนเมตร |
| อุณหภูมิในการทำงานต่ำสุด: | - 55 องศาเซลเซียส |
| อุณหภูมิในการทำงานสูงสุด: | + 150 องศาเซลเซียส |
| Pd - การกระจายพลังงาน: | 116 ว |
| โหมดช่อง: | การเพิ่มประสิทธิภาพ |
| ชื่อการค้า: | เน็กซ์เฟต |
| บรรจุภัณฑ์: | รอก |
| บรรจุภัณฑ์: | ตัดเทป |
| บรรจุภัณฑ์: | MouseReel |
| ยี่ห้อ: | เท็กซัส อินสตรูเมนท์ |
| การกำหนดค่า: | เดี่ยว |
| เวลาฤดูใบไม้ร่วง: | 1.7 น |
| ความสูง: | 1 มม |
| ความยาว: | 5.75 มม |
| ผลิตภัณฑ์: | เพาเวอร์มอสเฟต |
| ประเภทสินค้า: | มอสเฟต |
| เวลาที่เพิ่มขึ้น: | 6.3 น |
| ชุด: | CSD18563Q5A |
| ปริมาณแพ็คโรงงาน: | 2500 |
| หมวดหมู่ย่อย: | มอสเฟต |
| ประเภททรานซิสเตอร์: | พาวเวอร์มอสเฟต N-Channel 1 ตัว |
| พิมพ์: | 60 V N-Channel NexFET เพาเวอร์มอสเฟต |
| เวลาหน่วงการปิดเครื่องโดยทั่วไป: | 11.4 น |
| เวลาหน่วงการเปิดเครื่องโดยทั่วไป: | 3.2 น |
| ความกว้าง: | 4.9 มม |
| หน่วยน้ำหนัก: | 0.003034 ออนซ์ |
♠ CSD18563Q5A 60 V N-Channel NexFET™ เพาเวอร์มอสเฟต
พาวเวอร์ MOSFET 5.7 mΩ, 60 V SON 5 มม. x 6 มม. ของ NexFET™ นี้ออกแบบมาเพื่อจับคู่กับ FET ควบคุม CSD18537NQ5A และทำหน้าที่เป็น FET ซิงค์สำหรับโซลูชันชิปเซ็ตตัวแปลงบั๊กอุตสาหกรรมที่สมบูรณ์
• Qg และ Qgd ต่ำมาก
• ไดโอดเนื้ออ่อนเพื่อลดเสียงเรียกเข้า
• ความต้านทานความร้อนต่ำ
• คะแนนถล่มทลาย
• ระดับลอจิก
• การชุบเทอร์มินอลแบบไร้สาร Pb
• ได้มาตรฐาน RoHS
• ปราศจากฮาโลเจน
• ซองพลาสติก SON 5 มม. × 6 มม
• FET ด้านต่ำสำหรับตัวแปลงบั๊กอุตสาหกรรม
• วงจรเรียงกระแสซิงโครนัสด้านรอง
• การควบคุมมอเตอร์
