TPS53659RSBR ตัวควบคุมการจัดการพลังงานแบบหลายเฟส 4+1/3+2 ช่องสัญญาณคู่ VR13 D-CAP+&trade พร้อม NVM และ PMBus 40-WQFN
♠ คำอธิบายสินค้า
| คุณลักษณะของผลิตภัณฑ์ | ค่าแอตทริบิวต์ |
| ผู้ผลิต: | เท็กซัสอินสทรูเมนท์ส |
| หมวดหมู่สินค้า : | การจัดการพลังงานแบบพิเศษ - PMIC |
| เป็นไปตามมาตรฐาน: | รายละเอียด |
| ชุด: | TPS53659 |
| รูปแบบการติดตั้ง: | เอสเอ็มดี/เอสเอ็มที |
| แพ็กเกจ / เคส: | ดับเบิ้ลยูคิวเอฟเอ็น-40 |
| อุณหภูมิการทำงานขั้นต่ำ: | - 40 องศาเซลเซียส |
| อุณหภูมิการทำงานสูงสุด: | + 125 องศาเซลเซียส |
| บรรจุภัณฑ์: | รีล |
| ยี่ห้อ: | เท็กซัสอินสทรูเมนท์ส |
| ไวต่อความชื้น: | ใช่ |
| ประเภทสินค้า : | การจัดการพลังงานแบบพิเศษ - PMIC |
| ปริมาณบรรจุโรงงาน: | 3000 |
| หมวดหมู่ย่อย: | PMIC - ไอซีจัดการพลังงาน |
| ชื่อทางการค้า: | ดีแคป+ |
♠ TPS53659 คอนโทรลเลอร์ลดแรงดันไฟฟ้าหลายเฟสแบบสองช่อง (4 เฟส + 1 เฟส) หรือ (3 เฟส + 2 เฟส) D-CAP+™ พร้อม NVM และ PMBus™ สำหรับหน่วยความจำเซิร์ฟเวอร์ VR13
TPS53659 เป็นตัวควบคุมสเต็ปดาวน์ที่สอดคล้องกับ VR13 SVID อย่างสมบูรณ์พร้อมช่องสัญญาณคู่ หน่วยความจำถาวร (NVM) ในตัว และอินเทอร์เฟซ PMBus™ และเข้ากันได้อย่างสมบูรณ์กับขั้นตอนพลังงาน TI NexFET™ คุณสมบัติการควบคุมขั้นสูง เช่น สถาปัตยกรรม D-CAP+™ พร้อมการลดความถี่ต่ำ (USR) ช่วยให้ตอบสนองชั่วขณะได้อย่างรวดเร็ว ความจุเอาต์พุตต่ำ และการแบ่งปันกระแสที่ดี อุปกรณ์ยังมีกลยุทธ์การสลับเฟสแบบใหม่และการปลดเฟสแบบไดนามิกเพื่อปรับปรุงประสิทธิภาพที่โหลดต่างๆ การควบคุมอัตราการเปลี่ยนแปลง VCORE และการวางตำแหน่งแรงดันไฟฟ้าที่ปรับได้ทำให้คุณสมบัติของ Intel® สมบูรณ์แบบ นอกจากนี้ อุปกรณ์ยังรองรับอินเทอร์เฟซการสื่อสาร PMBus สำหรับการรายงานการวัดระยะไกลของแรงดันไฟฟ้า กระแสไฟฟ้า พลังงาน อุณหภูมิ และสภาวะผิดพลาดไปยังระบบ พารามิเตอร์ที่ตั้งโปรแกรมได้ทั้งหมดสามารถกำหนดค่าได้โดยอินเทอร์เฟซ PMBus และสามารถจัดเก็บใน NVM เป็นค่าเริ่มต้นใหม่เพื่อลดจำนวนส่วนประกอบภายนอกให้เหลือน้อยที่สุด
อุปกรณ์ TPS53659 มีจำหน่ายในบรรจุภัณฑ์ WQFN 40 พินที่ปรับปรุงประสิทธิภาพทางความร้อน และได้รับการจัดอันดับให้ทำงานได้ในช่วงอุณหภูมิ -40°C ถึง 125°C
• ชุดคุณสมบัติเซิร์ฟเวอร์ VR13 เต็มรูปแบบ รวมถึงจอภาพตรวจสอบพลังงานอินพุตดิจิทัล
• การชดเชยลูปแบบตั้งโปรแกรมได้
• สามารถกำหนดค่าด้วยหน่วยความจำแบบไม่ลบเลือน (NVM) ได้จำนวนส่วนประกอบภายนอกต่ำ
• การสอบเทียบและรายงานกระแสเฟสแต่ละเฟส
• การสลายเฟสแบบไดนามิกพร้อมการตั้งโปรแกรมได้เกณฑ์ปัจจุบันสำหรับการเพิ่มประสิทธิภาพที่แสงและบรรทุกหนัก
• การเพิ่มเฟสอย่างรวดเร็วเพื่อลดการหลุดออก(ยูเอสอาร์)
• รองรับ VR12.0 และ VR12.5 เวอร์ชันก่อนหน้า
• DAC 8 บิต พร้อมเลือก 5 mV หรือ 10 mV ได้ความละเอียดและช่วงเอาต์พุตตั้งแต่ 0.25 V ถึง1.52 V หรือ 0.5 V ถึง 2.8125 V สำหรับช่องสัญญาณคู่
• การกำหนดค่าแบบไร้ไดรเวอร์เพื่อการสลับความถี่สูงที่มีประสิทธิภาพ
• เข้ากันได้อย่างสมบูรณ์กับ TI NextFET™ Power Stageสำหรับโซลูชั่นความหนาแน่นสูง
• ตำแหน่งแรงดันไฟฟ้าที่ปรับได้แม่นยำ
• การเลือกความถี่ด้วยความถี่วงปิดการควบคุม: 300 kHz ถึง 1 MHz
• การปรับสมดุลเฟส AutoBalance™ ที่ได้รับการจดสิทธิบัตร
• สามารถเลือกระดับกระแสจำกัดต่อเฟสได้ 16 ระดับ
• อินเทอร์เฟซระบบ PMBus™ สำหรับการวัดระยะไกลของแรงดันไฟฟ้า กระแสไฟฟ้า กำลังไฟฟ้า อุณหภูมิ และความผิดพลาดเงื่อนไข
• การเปลี่ยนผ่านแรงดันเอาต์พุตแบบไดนามิกด้วยอัตราการเปลี่ยนแปลงที่ตั้งโปรแกรมได้ผ่าน SVID หรือ PMBusอินเทอร์เฟซ
• ช่วงแรงดันไฟฟ้าแปลง: 4.5 V ถึง 17 V
• กระแสไฟฟ้าคงที่ต่ำ
• 5 มม. × 5 มม., 40 พิน, WQFN PowerPad™บรรจุุภัณฑ์
• พลังหน่วยความจำ VR13 ของเซิร์ฟเวอร์และแอปพลิเคชันโทรคมนาคม
• ASIC ต้องใช้รางไฟฟ้าคู่
• พลังประมวลผลประสิทธิภาพสูง
