NTMFS4C028NT1G ราง MOSFET 6 30V NCH
♠ คำอธิบายสินค้า
| คุณลักษณะของผลิตภัณฑ์ | ค่าแอตทริบิวต์ |
| ผู้ผลิต: | ออนเซมิ |
| หมวดหมู่สินค้า : | โมสเฟต |
| เป็นไปตามมาตรฐาน: | รายละเอียด |
| เทคโนโลยี: | Si |
| รูปแบบการติดตั้ง: | เอสเอ็มดี/เอสเอ็มที |
| แพ็กเกจ / เคส: | เอสโอ-8เอฟแอล-4 |
| ขั้วทรานซิสเตอร์: | ช่อง N |
| จำนวนช่องสัญญาณ: | 1 ช่อง |
| Vds - แรงดันพังทลายระหว่างเดรน-ซอร์ส: | 30 โวลต์ |
| Id - กระแสไฟไหลต่อเนื่อง: | 52 ก |
| Rds On - ความต้านทานต่อท่อระบายน้ำและแหล่งกำเนิด: | 4.73 มิลลิโอห์ม |
| Vgs - แรงดันเกต-แหล่ง: | - 20 โวลต์, + 20 โวลต์ |
| Vgs th - แรงดันเกณฑ์เกต-แหล่ง: | 2.2 โวลต์ |
| Qg - ค่าธรรมเนียมประตู: | 22.2 นาโนเซลเซียส |
| อุณหภูมิการทำงานขั้นต่ำ: | - 55 องศาเซลเซียส |
| อุณหภูมิการทำงานสูงสุด: | + 150 องศาเซลเซียส |
| Pd - การสูญเสียพลังงาน: | 6 วัตต์ |
| โหมดช่อง: | การปรับปรุง |
| บรรจุภัณฑ์: | รีล |
| บรรจุภัณฑ์: | ตัดเทป |
| บรรจุภัณฑ์: | เม้าส์รีล |
| ยี่ห้อ: | ออนเซมิ |
| การกำหนดค่า: | เดี่ยว |
| ประเภทสินค้า : | โมสเฟต |
| ชุด: | NTMFS4C028N |
| ปริมาณบรรจุโรงงาน: | 1500 |
| หมวดหมู่ย่อย: | โมสเฟต |
| น้ำหนักต่อหน่วย: | 0.026455 ออนซ์ |
• RDS(เปิด) ต่ำเพื่อลดการสูญเสียการนำไฟฟ้าให้น้อยที่สุด
• ความจุต่ำเพื่อลดการสูญเสียไดรเวอร์ให้เหลือน้อยที่สุด
• เพิ่มประสิทธิภาพการชาร์จเกตเพื่อลดการสูญเสียจากการสลับ
• อุปกรณ์เหล่านี้ปลอดสารตะกั่ว ปลอดสารฮาโลเจน/ปลอดสาร BFR และเป็นไปตามมาตรฐาน RoHS
• การส่งพลังงานซีพียู
• ตัวแปลง DC−DC
