NTMFS4C028NT1G MOSFET TRENCH 6 30V NCH
♠รายละเอียดสินค้า
| คุณลักษณะของผลิตภัณฑ์ | ค่าแอตทริบิวต์ |
| ผู้ผลิต: | ออนเซ็น |
| ประเภทสินค้า: | มอสเฟต |
| เป็นไปตามมาตรฐาน: | รายละเอียด |
| เทคโนโลยี: | Si |
| สไตล์การติดตั้ง: | เอสเอ็มดี/SMT |
| บรรจุภัณฑ์ / กล่อง: | SO-8FL-4 |
| ขั้วทรานซิสเตอร์: | N-ช่อง |
| จำนวนช่อง: | 1 ช่อง |
| Vds - แรงดันพังทลายของเดรน-ซอร์ส: | 30 โวลต์ |
| รหัส - กระแสเดรนต่อเนื่อง: | 52 ก |
| Rds On - ความต้านทานของ Drain-Source: | 4.73 มิลลิโอห์ม |
| Vgs - แรงดันเกต-ซอร์ส: | - 20 โวลต์, + 20 โวลต์ |
| Vgs th - แรงดันเกณฑ์เกต-ซอร์ส: | 2.2 โวลต์ |
| Qg - ค่าธรรมเนียมประตู: | 22.2 นาโนเมตร |
| อุณหภูมิในการทำงานต่ำสุด: | - 55 องศาเซลเซียส |
| อุณหภูมิในการทำงานสูงสุด: | + 150 องศาเซลเซียส |
| Pd - การกระจายพลังงาน: | 6 ว |
| โหมดช่อง: | การเพิ่มประสิทธิภาพ |
| บรรจุภัณฑ์: | รอก |
| บรรจุภัณฑ์: | ตัดเทป |
| บรรจุภัณฑ์: | MouseReel |
| ยี่ห้อ: | ออนเซ็น |
| การกำหนดค่า: | เดี่ยว |
| ประเภทสินค้า: | มอสเฟต |
| ชุด: | NTMFS4C028N |
| ปริมาณแพ็คโรงงาน: | 1500 |
| หมวดหมู่ย่อย: | มอสเฟต |
| หน่วยน้ำหนัก: | 0.026455 ออนซ์ |
• RDS ต่ำ (เปิด) เพื่อลดการสูญเสียการนำไฟฟ้า
• ความจุต่ำเพื่อลดการสูญเสียไดรเวอร์ให้เหลือน้อยที่สุด
• เพิ่มประสิทธิภาพ Gate Charge เพื่อลดการสูญเสียการสลับให้เหลือน้อยที่สุด
• อุปกรณ์เหล่านี้ปราศจาก Pb−, ปราศจากฮาโลเจน/ปราศจาก BFR และเป็นไปตามข้อกำหนด RoHS
• การส่งพลังงานซีพียู
• ตัวแปลง DC−DC
