SAMSUNG วางแผนที่จะเพิ่มกำลังการผลิตชิปเป็นสามเท่าภายในปี 2570

Jeong Ki-tae รองประธานฝ่ายพัฒนาเทคโนโลยีสำหรับหน่วยธุรกิจโรงหล่อของบริษัทกล่าวว่า Samsung Electronics ประสบความสำเร็จในการผลิตชิปขนาด 3 นาโนเมตรจำนวนมากโดยใช้เทคโนโลยี GAA เป็นครั้งแรกในโลกในปีนี้ โดยใช้พลังงานน้อยลง 45 เปอร์เซ็นต์ ประสิทธิภาพสูงขึ้น 23 เปอร์เซ็นต์ และพื้นที่น้อยลง 16 เปอร์เซ็นต์ เมื่อเทียบกับชิป 5 นาโนเมตร

Samsung Electronics ยังวางแผนที่จะไม่ละความพยายามใดๆ ในการขยายกำลังการผลิตของโรงหล่อชิป ซึ่งมีเป้าหมายที่จะเพิ่มกำลังการผลิตมากกว่าสามเท่าภายในปี 2570 ด้วยเหตุนี้ ผู้ผลิตชิปจึงดำเนินกลยุทธ์ "shell-first" ซึ่งเกี่ยวข้องกับการสร้าง ทำความสะอาดห้องก่อนแล้วจึงดำเนินการสิ่งอำนวยความสะดวกอย่างยืดหยุ่นตามความต้องการของตลาด

Choi Si-young ประธานหน่วยธุรกิจโรงหล่อของ Samsung Electronics กล่าวว่า "เราดำเนินการโรงงาน 5 แห่งในเกาหลีและสหรัฐอเมริกา และเรามีสถานที่ที่ปลอดภัยเพื่อสร้างโรงงานมากกว่า 10 แห่ง"

IT House ได้เรียนรู้ว่า Samsung Electronics วางแผนที่จะเปิดตัวกระบวนการผลิต 3 นาโนเมตรรุ่นที่สองในปี 2023 เริ่มการผลิตจำนวนมากของ 2 นาโนเมตรในปี 2025 และเปิดตัวกระบวนการ 1.4 นาโนเมตรในปี 2027 ซึ่งเป็นแผนงานด้านเทคโนโลยีที่ Samsung เปิดเผยครั้งแรกใน San ฟรานซิสโก เมื่อวันที่ 3 ต.ค. (ตามเวลาท้องถิ่น)