SAMSUNG วางแผนเพิ่มกำลังการผลิตชิปเป็นสามเท่าภายในปี 2027

จอง คีแท รองประธานฝ่ายพัฒนาเทคโนโลยีสำหรับหน่วยธุรกิจโรงหล่อของบริษัท กล่าวว่า Samsung Electronics ประสบความสำเร็จในการผลิตชิป 3 นาโนเมตรที่ใช้เทคโนโลยี GAA เป็นจำนวนมากเป็นครั้งแรกของโลกในปีนี้ ด้วยอัตราการใช้พลังงานต่ำกว่า 45 เปอร์เซ็นต์ ประสิทธิภาพสูงกว่า 23 เปอร์เซ็นต์ และพื้นที่น้อยกว่า 16 เปอร์เซ็นต์ เมื่อเทียบกับชิป 5 นาโนเมตร

นอกจากนี้ Samsung Electronics ยังวางแผนที่จะขยายกำลังการผลิตของโรงหล่อชิป ซึ่งมีเป้าหมายที่จะเพิ่มกำลังการผลิตมากกว่าสามเท่าภายในปี 2027 เพื่อจุดประสงค์ดังกล่าว ผู้ผลิตชิปรายนี้จึงใช้กลยุทธ์ "เน้นที่เปลือกเป็นหลัก" ซึ่งเกี่ยวข้องกับการสร้างห้องปลอดเชื้อก่อน จากนั้นจึงดำเนินการโรงงานอย่างยืดหยุ่นตามความต้องการของตลาดที่เกิดขึ้น

ชเว ซี-ยอง ประธานหน่วยธุรกิจโรงหล่อของบริษัท Samsung Electronics กล่าวว่า "เราเปิดดำเนินการโรงงาน 5 แห่งในเกาหลีและสหรัฐอเมริกา และเราได้จัดหาพื้นที่สำหรับสร้างโรงงานมากกว่า 10 แห่ง"

IT House ได้รับทราบว่า Samsung Electronics วางแผนที่จะเปิดตัวกระบวนการผลิต 3 นาโนเมตรรุ่นที่ 2 ในปี 2023 เริ่มการผลิตแบบจำนวนมากของกระบวนการผลิต 2 นาโนเมตรในปี 2025 และเปิดตัวกระบวนการผลิต 1.4 นาโนเมตรในปี 2027 ซึ่งเป็นแผนงานด้านเทคโนโลยีที่ Samsung เปิดเผยเป็นครั้งแรกในซานฟรานซิสโกเมื่อวันที่ 3 ตุลาคม (ตามเวลาท้องถิ่น)