TPS51200QDRCRQ1 IC เฉพาะด้านการจัดการพลังงานแบบใหม่และดั้งเดิม
♠ คำอธิบายสินค้า
| คุณลักษณะของผลิตภัณฑ์ | ค่าแอตทริบิวต์ |
| ผู้ผลิต: | เท็กซัสอินสทรูเมนท์ส |
| หมวดหมู่สินค้า : | การจัดการพลังงานแบบพิเศษ - PMIC |
| เป็นไปตามมาตรฐาน: | รายละเอียด |
| ชุด: | TPS51200-Q1 |
| พิมพ์: | ยานยนต์ |
| รูปแบบการติดตั้ง: | เอสเอ็มดี/เอสเอ็มที |
| แพ็กเกจ / เคส: | วีซอน-10 |
| กระแสไฟขาออก: | 600มิลลิแอมป์ |
| อุณหภูมิการทำงานขั้นต่ำ: | - 40 องศาเซลเซียส |
| อุณหภูมิการทำงานสูงสุด: | + 125 องศาเซลเซียส |
| คุณสมบัติ: | เออีซี-คิว 100 |
| บรรจุภัณฑ์: | รีล |
| บรรจุภัณฑ์: | ตัดเทป |
| บรรจุภัณฑ์: | เม้าส์รีล |
| ยี่ห้อ: | เท็กซัสอินสทรูเมนท์ส |
| ไวต่อความชื้น: | ใช่ |
| กระแสไฟทำงาน: | 700 ไมโครเอ |
| Pd - การสูญเสียพลังงาน: | 0.79 วัตต์ |
| ประเภทสินค้า : | การจัดการพลังงานแบบพิเศษ - PMIC |
| ปริมาณบรรจุโรงงาน: | 3000 |
| หมวดหมู่ย่อย: | PMIC - ไอซีจัดการพลังงาน |
| น้ำหนักต่อหน่วย: | 0.001386 ออนซ์ |
♠TPS51200-Q1 ตัวควบคุมการยุติซิงก์และแหล่ง DDR
อุปกรณ์ TPS51200-Q1 เป็นตัวควบคุมการยุติสัญญาณอัตราข้อมูลคู่ (DDR) แบบซิงก์และแหล่งสัญญาณที่ออกแบบมาโดยเฉพาะสำหรับระบบที่มีแรงดันไฟฟ้าขาเข้าต่ำ ต้นทุนต่ำ และเสียงรบกวนต่ำ โดยที่พื้นที่เป็นปัจจัยสำคัญ อุปกรณ์ TPS51200-Q1 รักษาการตอบสนองชั่วขณะที่รวดเร็วและต้องการความจุเอาต์พุตขั้นต่ำเพียง 20 μF อุปกรณ์ TPS51200-Q1 รองรับฟังก์ชั่นการตรวจจับระยะไกลและข้อกำหนดด้านพลังงานทั้งหมดสำหรับการยุติบัส DDR, DDR2, DDR3, DDR3L, Low Power DDR3 และ DDR4 VTT
นอกจากนี้ อุปกรณ์ TPS51200-Q1 ยังให้สัญญาณ PGOOD แบบโอเพนเดรนเพื่อตรวจสอบการควบคุมเอาต์พุต และสัญญาณ EN ที่สามารถใช้เพื่อระบาย VTT ในระหว่าง S3 (ระงับไปยัง RAM) สำหรับแอปพลิเคชัน DDR
อุปกรณ์ TPS51200-Q1 มีจำหน่ายในแพ็คเกจ VSON-10 ที่มีประสิทธิภาพความร้อน และได้รับการจัดอันดับ
ทั้งสีเขียวและปราศจากตะกั่ว อุปกรณ์นี้กำหนดอุณหภูมิได้ตั้งแต่ –40°C ถึง 125°C
• มีคุณสมบัติสำหรับการใช้งานยานยนต์
• คำแนะนำการทดสอบ AEC-Q100 พร้อมผลลัพธ์ดังต่อไปนี้:
– ระดับอุณหภูมิอุปกรณ์ 1: –40°C ถึง 125°C อุณหภูมิการทำงานโดยรอบ
– อุปกรณ์ HBM ESD ระดับการจำแนก 2
– ระดับการจำแนก ESD ของอุปกรณ์ CDM C4B
• แรงดันไฟฟ้าขาเข้า: รองรับราง 2.5-V และราง 3.3-V
• ช่วงแรงดันไฟฟ้า VLDOIN: 1.1 V ถึง 3.5 V
• ตัวควบคุมการยุติการจม/แหล่งจ่ายรวมถึงการชดเชยการทรุดตัว
• ต้องใช้ความจุเอาต์พุตขั้นต่ำที่ 20-μF (โดยทั่วไปคือ MLCC 3 × 10-μF) สำหรับแอปพลิเคชันการยุติหน่วยความจำ (DDR)
• PGOOD เพื่อตรวจสอบการควบคุมผลผลิต
• อินพุตภาษาอังกฤษ
• อินพุต REFIN ช่วยให้ติดตามอินพุตได้อย่างยืดหยุ่นไม่ว่าจะโดยตรงหรือผ่านตัวแบ่งตัวต้านทาน
• การสำรวจระยะไกล (VOSNS)
• อ้างอิงบัฟเฟอร์ ±10 mA (REFOUT)
• ระบบเริ่มต้นแบบนุ่มนวล UVLO และ OCL ในตัว
• ปิดระบบความร้อน
• ตรงตามข้อกำหนดของ JEDEC DDR, DDR2 รองรับ DDR3, DDR3L, แอปพลิเคชั่น DDR3 และ DDR4 VTT ที่ใช้พลังงานต่ำ
• แพ็คเกจ VSON-10 พร้อมแผ่นระบายความร้อนแบบเปิด
• ตัวควบคุมการยุติหน่วยความจำสำหรับ DDR, DDR2, DDR3, DDR3L, DDR3 และ DDR4 กำลังไฟต่ำ
• โน้ตบุ๊ก, เดสก์ท็อป, เซิร์ฟเวอร์
• โทรคมนาคมและการสื่อสารข้อมูล, สถานีฐาน GSM, ทีวี LCD และ PDP-TV, เครื่องถ่ายเอกสารและเครื่องพิมพ์, กล่องรับสัญญาณโทรทัศน์
